Las unidades de memoria de estados sólido (SSD por sus siglas en inglés) basadas en tecnología flash de celda de múltiples niveles (MLC por sus siglas en inglés) equivalen a una unidad de disco duro de 40,000 rpm. SanDisk Corporation reveló su familia de tercera generación de unidades de memoria de estado sólido (SSDs). Con tecnología de memoria flash NAND de celda de múltiples niveles.
Diseñados como repuestos de unidades de disco duro (HHDs) en PCs notebook, los miembros iniciales en la familia SanDisk G3 son la SSD C25-G3 y la SSD C18-G3 en los factores estándar 2.5" y 1.8" respectivamente; disponibles con interfase SATA-II en capacidades de 60, 120 y 240GB cada una.
Las SSDs G3 son cinco veces más rápidas que las HDDs de 7,200 RPM y son dos veces más rápidas que las SSDs creadas en 2008 registrando tiempos a 40,000 vRPM1 y con un desempeño secuencial anticipado de 200MB/s de lectura y 140MB/s de escritura3. Las SSDs G3 ofrecen una resistencia de datos a largo plazo (LDE por sus siglas en inglés) de 160 terabytes escritos (TBW por sus siglas en inglés) para la versión de 240GB suficiente para más de cien años de uso típico.
“Tres características claves desarrolladas por SanDisk permiten este diseño: Un nuevo algoritmo SSD llamado ExtremeFFSTM, que permite un desempeño de escritura aleatoria para mejorar de manera potencial hasta cien veces más que los algoritmos convencionales; la memoria flash NAND de “All Bit Line" con celdas de múltiples niveles de 43nm y el nuevo controlador SSD de SanDisk que une la NAND y el algoritmo", dice Rich Heye, vicepresidente senior y gerente general de la unidad de negocio SSD, SanDisk.
No hay comentarios:
Publicar un comentario
Nota: solo los miembros de este blog pueden publicar comentarios.